ความแตกต่างระหว่าง SDRAM กับ DDR
• ขนาดหีบห่อหรือ Package โดย SDRAM มีขนาดหีบห่อที่ 0.8 ม.ม และมีจำนวนขาของแรมชิป ที่ 54 ขา ขณะที่ DDR SDRAM มีขนาด 0.65 ม.ม และมีหีบห่อที่เรียกว่า TSOP ทั้งคู่
• แรงดันไฟเลี้ยง สำหรับ SDRAM กินไฟ 3.3V ส่วน DDR SDARM กินไฟ 2.5V และที่สำคัญ จะอัตราการแกว่งไกวของแรงดันไฟ ที่น้อยมาก
• ลักษณะของ Interface SDRAM ใช้ระบบอินเตอร์เฟสที่เรียกว่า LVTTL ซึ่งมีการใช้สัญญาณประเภท TTL ที่กินแรงดันไฟต่ำ ส่วน DDR SDRAM ใช้ อินเตอร์เฟส แบบ SSTL_2 หรือที่เรียกว่า Stub Series-Terminated Logic เป็นมาตรฐานการ อินเตอร์เฟสสำหรับ หน่วยความจำความเร็วสูง โดยมีคุณลักษณะพิเศษการทำงานแบบ สวิตซ์ชิ่ง ซึ่งจะทำให้หน่วยความจำสามารถทำงานที่ความเร็ว 200 MHz ขึ้นไปเป็นเรื่องที่เป็นไปได้ ซึ่ง DDR SDRAM สามารถทำงานที่ความเร็ว 300 MHz เมื่อเปรียบเทียบกับ ระบบ LVTTL แล้ว DDR SDRAM มีการ เทอร์มิเนต ที่ปลายของเส้นสัญญาณ ทำให้ลดสัญญาณรบกวนได้ ซึ่งเป็นสิ่งจำเป็นหากทำงานที่ความเร็วสูง
• ขาสัญญาณที่เพิ่มขึ้น DDR SDRAM มีสัญญาณที่เพิ่มขึ้นหลายสัญญาณเมื่อเทียบกับ SDRAM ได้แก่ /CLK DQS VREF DM เป็นต้น
• /CLK เป็น สัญญาณที่เรียกว่า Differential Clock Input DDR SDRAM สามารถทำงานประสานกับสัญญาณนาฬิกา 2 สัญญาณ ได้แก่ /CLK และ CLK ซึ่งทำให้การรับสัญญาณนาฬิกาจากภายนอกที่เร็วกว่า และมีสัญญาณรบกวนน้อยมา อีกทั้งมีความแม่นยำสูง ซึ่งจำเป็นมากสำหรับการอินเตอร์เฟสระหว่างระบบที่ควบคุม DDR SDRAM กับ ตัว DDR SDRAM เอง
• DQS หรือ Bi-directional Data Strobe ถูกนำมาใช้เป็น สัญญาณ Data Latch เพื่อควบคุมการไหลเวียนของข้อมูลข่าวสาร โดย DQS จะถูกปล่อยออกมาจากหน่วยความจำขณะที่มีการอ่านข้อมูล และเป็นสัญญาณอินพุท เข้ามาที่ หน่วยความจำขณะที่ทำการเขียนข้อมูล การใช้ DQS จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในด้านของจังหวะการทำงานที่ดีขึ้น
• VREF เป็นแรงดันไฟอ้างอิง ที่มีขนาด 1.25 V โดยมีค่า +/- อยู่ที่ 0.10V
• CAS Latency สำหรับ SDRAM มี CAS Latency อยู่ที่ 2 หรือ 3 Time Cycle ขณะที่ DDR SDRAM มี CAS Latency อยู่ที่ 2 หรือ 2.5 และ 3 Time Cycle ( CAS Latency เป็นค่าหน่วงเวลาที่มีความหมายว่า หลังจากที่สัญญาณ CAS มาถึงตัว DRAM แล้ว อีกนานเท่าใด ข้อมูลจาก DRAM จึงจะถูกปลดปล่อยออกมา ซึ่งแน่นอน ค่า Latency ยิ่งน้อยลงเท่าใด DRAM ก็ยิ่งจะปล่อยข้อมูลออกมาได้เร็วเท่านั้น ส่วน Time Cycle หมายถึง จำนวนรอบการทำงานของสัญญาณ ในระบบ (System Clock) สำหรับเครื่องพีซี สามารถนำไปเทียบกับรอบการทำงานของโปรเซสเซอร์ก็ได้ - ผู้เขียน)
• Write Latency SDRAM มีค่าหน่วงเวลาในการเขียนข้อมูลลงไปที่ DRAM ที่ 0 (ไม่มี Delay)ส่วน DDR SDRAM มีค่าหน่วงเวลาที่ 1 Time Cycle* ทั้ง SDRAM และ DDR SDRAM มีระบบ Auto Precharge โดยอัตโนมัติในตัว (Precharge เป็นกระบวนการเคลียร์ล้างข้อมูลในส่วนที่จะทำการ Refresh ของ DRAM (หลังจากที่ Back Up ข้อมูลแล้ว) ก่อนที่จะเติมข้อมูลลงไปที่ DRAM ใหม่ ซึ่งเป็นขั้นตอนขบวนการ Refresh ของ DRAM
• ทั้ง SDRAM และ DDR SDRAM มีการทำ Precharge ได้พร้อมกันทุกๆ Bank
• SDRAM และ DDR SDRAM มีระบบที่เรียกว่า Self Refresh ในตัวเอง ซึ่งหมายความว่า ภายในตัว DRAM ทั้งสองแบบ จะมีวงจรควบคุมการทำงานของ Refresh อยู่ในตัว ไม่ต้องการวงจรควบคุม การ Refresh ภายนอก ทำให้ประหยัดค่าใช้จ่ายในการออกแบบ Mother Board
• DDR SDRAM สามารถทำงานที่ความเร็วตั้งแต่ 66 MHz ไปจนถึง 133 MHz หรือมากกว่า
• มีอัตราการปลดปล่อยข้อมูลแบบ Burst ที่มีขนาดความยาว 2 หรือ 4 และ 8 (Burst เป็นการปลดปล่อยข้อมูลออกมาเป็นกลุ่มก้อน ที่มีขนาดอย่างน้อย 128-256 บิตขึ้นไป ต่อ 1 ครั้ง ดังนั้น ค่า 2 หรือ 4 หมายถึง การปลดปล่อยข้อมูลขนาด 256 บิต จำนวน 2 หรือ 4 ครั้งต่อหนึ่งรอบการทำงาน)
• อัตราความเร็วในการถ่ายเทข้อมูล ของ SDRAM อยู่ที่ 133 - 2.1 GB
http://www.vcharkarn.com/vblog/40889/2
สมัครสมาชิก:
ส่งความคิดเห็น (Atom)
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น